[发明专利]用于制造和分离半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200580046250.8 | 申请日： | 2005-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN101371338A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 刘明哲 | 申请（专利权）人： | 沃提科尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;尚志峰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造和分离半导体结构的方法，包括以下步骤：(a)局部地形成附着至支撑结构(550)的半导体结构(514)，局部形成半导体结构包括多个局部形成器件，其中，多个局部形成器件(500a，500b，500c)通过至少一个连接层相互连接；(b)在多个局部形成器件的至少一部分上形成局部掩模层；(c)蚀刻连接层以分离器件；以及(d)去除局部掩模层。本发明的优点包括比传统技术更高的产量。此外，可以使用更廉价的设备来分离器件。结果是每单位时间和金钱更高的器件生产率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 分离 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造和分离半导体结构的方法，包括以下步骤：(a)局部地形成附着至支撑结构的半导体结构，所述局部形成半导体结构包括多个局部形成器件，其中，所述多个局部形成器件通过至少一个连接层相互连接；(b)在所述多个局部形成器件的至少一部分上形成局部掩模层；(c)蚀刻所述连接层以分离所述多个器件；以及(d)去除所述局部掩模层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
