[发明专利]减少多层快闪存储器中软写的方法和系统无效
| 申请号： | 200580044989.5 | 申请日： | 2005-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101091220A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 罗伦佐·巴塔瑞达;法比奥·塔萨·卡斯尔;西蒙妮·巴托利;乔治·奥多尼 | 申请（专利权）人： | 爱特梅尔股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34 |
| 代理公司： | 上海恩田旭诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁国芳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在读或校验中，减少多层快闪存储器的软写的系统和方法包括存储单元。第一和第二参考单元与所述存储单元耦合，并设置成接收第一和第二电压。电流比较电路与所述第一和第二参考单元以及所述存储单元耦合，并设置成将流过所述存储单元的电流与流过第一和第二参考单元的电流进行比较，当所述第一参考单元接收第一电压时测定所述存储单元是否持有第一范围的值，并且如果所述存储单元不持有所述第一范围的值，则当第二参考单元接收第二电压时测定所述存储单元是否持有第二范围的值，从而减少读操作过程中的软写。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 多层 闪存 储器中软写 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种在读操作过程中减少多层快闪存储器中软写的方法，包括：施加第一电压给所述多层快闪存储器中的存储单元；施加所述第一电压之后，测定所述存储单元是否持有第一范围的值；以及如果所述存储单元不持有所述第一范围的值，则施加第二电压给所述存储单元。
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