[发明专利]用于清洗离子注入机元件的新方法无效

专利信息
申请号: 200580044390.1 申请日: 2005-10-21
公开(公告)号: CN101437629A 公开(公告)日: 2009-05-20
发明(设计)人: 小弗朗克·迪梅奥;詹姆斯·迪茨;W·卡尔·奥兰德;罗伯特·凯姆;史蒂文·E·毕晓普;杰弗里·W·纽纳;乔斯·I·阿尔诺 申请(专利权)人: 高级技术材料公司
主分类号: B08B6/00 分类号: B08B6/00;B08B9/00
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 余 刚;尚志峰
地址: 美国康*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种用于清洗来自用在微电子器件制造中的离子注入机的真空室元件的、和束流线(beamline)元件的残留物的方法和装置。为了有效地移除残留物,在充分条件下使这些元件与气相活性卤化物的组分充分接触一段时间以至少部分移除残留物。选取气相活性卤化物的组分以有选择地与残留物发生反应,而不与真空室的离子源区域的元件进行反应。
搜索关键词: 用于 清洗 离子 注入 元件 新方法
【主权项】:
1. 一种用于清洗半导体制造器具的真空室、至少一个元件、或其组合的方法,所述方法包括:(a)将蚀刻剂气体从蚀刻剂容器引入到所述真空室中;(b)在达到所述真空室中的预定气压时,就终止所述蚀刻剂气体到所述真空室中的引入;以及(c)使所述蚀刻剂气体与所述真空室中的残留物进行反应一段充分的时间以至少部分移除来自所述真空室内部的、至少一个包含在所述真空室内部的元件中的或其组合中的残留物;其中,选取所述蚀刻剂气体以有选择地与所述真空室中的残留物、包含在所述真空室内部的元件中的残留物或其组合中的残留物发生反应,而基本上不与所述真空室的内部、包含在所述真空室中的元件或其组合发生反应。
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