[发明专利]减小瞬态增强扩散的离子注入方法有效
| 申请号： | 200580043582.0 | 申请日： | 2005-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101103443A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | H·格拉欧里;M·A·福德;A·阿勒巴亚提 | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种离子注入方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中以一注入方向执行预非晶化注入，该注入方向与所述半导体衬底的表面法线之间的角度在20-60°范围内；以及，在所述半导体衬底中执行掺杂剂的注入以提供浅结。在本发明的一个特征中，所述方法进一步包括在半导体衬底中执行缺陷俘获元素的注入，并且所述预非晶化注入步骤是以第一注入能量执行的，而缺陷俘获元素的注入是以第二注入能量执行的，所述第一注入能量和所述第二注入能量的比率在10-40％的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 减小 瞬态 增强 扩散 离子 注入 方法 | ||
【主权项】：
1.一种离子注入方法，包括以下步骤：a)提供半导体衬底；b)在所述半导体衬底中以第一注入能量执行预非晶化注入；c)在所述半导体衬底中以第二注入能量执行缺陷俘获元素的注入；和d)在所述半导体衬底中执行掺杂剂的注入以提供浅结，其中所述第一注入能量和所述第二注入能量的比率在10-40％的范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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