[发明专利]用于深槽的掺杂硅填充的工艺步骤有效
| 申请号： | 200580042974.5 | 申请日： | 2005-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101084574A | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | 阿吉特·帕仁吉佩;萨默纳斯·内奇 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/4763 | 分类号： | H01L21/4763 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;陈红 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于由原位掺杂非晶硅的深槽结构无空隙填充的方法，在该方法中第一填充在温度、压力和掺杂剂与硅烷比率使得膜沉积槽自下向上发生下实施。经由第一填充，实现阱中的阶梯覆盖超过100％。在第二填充步骤中，沉积在变化的条件下实施以减少掺杂剂对沉积速度的影响，从而以超过第一填充沉积速度的沉积速度完成槽填充。在形成深槽电容器结构的方法的应用中，中间步骤进一步包括以非晶硅层盖在无空隙填充的槽上，之后平坦化晶圆，随后热退火以再分配掺杂剂。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 掺杂 填充 工艺 步骤 | ||
【主权项】：
1.一种以原位掺杂硅形成无空隙高孔径比槽的方法，包括：提供具有高孔径比的深槽；在所述槽内形成第一掺杂非晶硅层，所述层具有大于100％的阶梯覆盖，从而当沉积时，所形成的层呈现V形轮廓；以及在所述第一层上形成第二掺杂的非晶硅以填充所述槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
