[发明专利]用于在CMOS器件中形成自对准双重全硅化栅极的方法无效

申请号：	200580041421.8	申请日：	2005-12-01
公开（公告）号：	CN101069282A	公开（公告）日：	2007-11-07
发明（设计）人：	方隼飞;小希里尔·卡布莱尔;切斯特·T.·齐奥波科夫斯基;克里斯蒂安·拉沃伊;克莱门特·H.·万	申请（专利权）人：	国际商业机器公司
主分类号：	H01L21/8238	分类号：	H01L21/8238
代理公司：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人：	杜娟
地址：	美国***	国省代码：	美国;US
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摘要：	一种只要求一个光刻层次的在CMOS器件中形成双重自对准全硅化栅极的方法，其中，所述方法包含：在半导体衬底(252)中形成具有第一阱区域(253)的第一类型的半导体器件(270)，在第一阱区域(253)中形成第一源极/漏极硅化物区域(266)，和形成与第一源极/漏极硅化物区域(266)隔离的第一类型的栅极(263)；在半导体衬底(252)中形成具有第二阱区域(254)的第二类型的半导体器件(280)，在第二阱区域(254)中形成第二源极/漏极硅化物区域(256)，和形成与第二源极/漏极硅化物区域(256)隔离的第二类型的栅极(258)；在第二类型的半导体器件(280)上选择性地形成第一金属层(218)；只在第二类型的栅极(258)上执行第一全硅化(FUSI)栅极形成；在第一和第二类型的半导体器件(270、280)上淀积第二金属层(275)；和只在第一类型的栅极(263)上执行第二FUSI栅极形成。
搜索关键词：	用于 cmos 器件形成对准双重全硅化栅极方法
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【主权项】：

1.一种在半导体衬底(252)上形成集成电路(251)的方法，所述方法包含：形成第一类型的半导体器件(263)，它具有第一源极/漏极硅化物区域(266)和与所述第一源极/漏极硅化物区域(266)隔离的第一类型的栅极区域(263)；形成第二类型的半导体器件(280)，它具有第二源极/漏极硅化物区域(256)和与所述第二源极/漏极硅化物区域(256)隔离的第二类型的栅极区域(258)；在全部所述第一和第二源极/漏极硅化物区域(266、256)上形成电介质层；在所述第二类型的半导体器件(280)上淀积第一金属层(218)；只在所述第二类型的栅极区域(258)上执行第一全硅化(FUSI)栅极形成；在所述第一和第二类型的半导体器件(263、280)上淀积第二金属层(275)；和只在所述第一类型的栅极区域(263)上执行第二FUSI栅极形成。

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H 电学

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