[发明专利]氮化镓化合物半导体发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200580041110.1 | 申请日： | 2005-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN101084583A | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | 李钟览 | 申请（专利权）人： | 首尔OPTO仪器股份有限公司;浦项工科大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化镓(gallium nitride，GaN)化合物半导体发光元件(LED)及其一种制造方法。本发明提供一种垂直GaN LED，其能够借助于金属保护膜层和金属支撑层而改进水平LED的特性。根据本发明，在垂直GaN LED的侧面和/或底面上形成厚度为至少10微米的厚金属保护膜层，以保护元件不受外部碰撞并容易地分离芯片。另外，使用金属衬底来代替蓝宝石衬底，以在操作元件时有效地将所生成的热量释放到外部，以使得LED能适于高功率应用，且也能制造具有改进的光学输出特性的元件。形成金属支撑层，以保护元件不会由于碰撞而变形或损坏。此外，P型电极以网格形式部分地形成在P－GaN层上，以借此使作用层中生成的光子朝向N－GaN层的发射最大化。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 化合物 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种发光元件，包括：金属支撑层；P型反射膜电极，处于所述金属支撑层上；P型半导体层、作用层和N型半导体层，依次形成在所述P型反射膜电极上；以及N型电极，形成在所述N型半导体层上。
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