[发明专利]半导体器件有效
| 申请号: | 200580038582.1 | 申请日: | 2005-11-09 |
| 公开(公告)号: | CN101057329A | 公开(公告)日: | 2007-10-17 |
| 发明(设计)人: | 山崎舜平;安部宽子;根本幸惠;野村亮二;汤川干央 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10;H01L27/28;H01L29/786;H01L45/00;H01L49/02;H01L51/05;H01Q1/38 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供一种非易失性的、易于制造的、并可以附加地写入的半导体器件。本发明的半导体器件包括多个晶体管、作为晶体管源极布线或漏极布线的导电层、与多个晶体管中的一个相重叠的存储元件、以及用作天线的导电层。存储元件包含按此顺序层积的第一导电层、有机化合物层和相变层、和第二导体层。用作天线的导电层与作为多个晶体管的源极布线或漏极布线的导电层设置在相同的层上。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:设置在绝缘层上的晶体管;作为所述晶体管的源极布线或漏极布线的导电层;与所述晶体管相重叠的存储元件;和用作天线的导电层,其中,所述存储元件包含按此顺序层积的第一导电层、有机化合物层或相变层、和第二导电层;所述用作天线的导电层与所述作为所述晶体管的源极布线或漏极布线的导电层设置在相同的层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





