[发明专利]具有混合表面取向衬底的沟槽电容器

摘要

在具有混合表面取向的单个芯片上形成深沟槽电容器存储器件(50)和逻辑器件(32，40)的方法。该方法允许制造具有增强的性能的系统级芯片(SoC)，包括在(100)表面取向硅上的n型互补金属氧化物半导体(CMOS)器件SOI阵列和逻辑晶体管，以及在(110)表面取向硅上的P型CMOS逻辑晶体管。另外，该方法制造在混合表面取向SOI和体衬底中的硅衬底沟槽电容器。因为用于硅外延生长的阵列掩模开口和构图在相同的步骤中用相同的掩模完成，所以实现了成本的降低。

主权项

1.一种在具有混合表面取向的单个芯片上形成深沟槽电容器存储器件和逻辑器件(32，40)的方法，所述方法包括如下步骤：提供具有第一表面取向的体硅衬底(12)和其上具有第二、不同表面取向的绝缘体上硅(SOI)区域(14)；使用硬掩模(84)形成穿过所述SOI区域(14)到所述体硅衬底(12)的第一和第二开口(80，82)；在每个开口(80，82)中形成隔离物；在所述第二开口(82)中形成介质覆盖的外延生长硅；穿过所述第一开口(80)在所述体硅衬底(12)中打开深沟槽；在所述深沟槽中形成深沟槽电容器；形成浅沟槽隔离(33，44)；以及形成所述逻辑器件(32，40)。