[发明专利]半导体装置及用于其制造的方法有效
申请号: | 200580038217.0 | 申请日: | 2005-09-13 |
公开(公告)号: | CN101057340A | 公开(公告)日: | 2007-10-17 |
发明(设计)人: | 阿尔弗雷德·格拉赫;宁·曲 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | H01L29/861 | 分类号: | H01L29/861;H01L29/866;H01L29/872;H01L21/329 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 曾立 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种半导体装置(20),其包括带有集成的PN二极管的沟槽-MOS-势垒-肖特基-二极管,本发明还涉及用于其制造的方法。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 用于 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.半导体装置(20,30),包括一个带有集成的PN二极管的沟槽-MOS-势垒-肖特基-二极管。
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