[发明专利]曝光装置及器件制造方法有效
| 申请号： | 200580037186.7 | 申请日： | 2005-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN101048854A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 藤原朋春;柴崎祐一 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 雒运朴;徐谦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种可以抑制液体的残留的曝光装置。曝光装置(EX)具备：可保持衬底(P)并移动的衬底载台(ST1)；可与衬底载台(ST1)独立地移动的计测载台(ST2)；在衬底载台(ST1)及计测载台(ST2)的至少一个的载台的上面形成液体(LQ)的浸液区域(LR)的浸液机构(12等)。在计测载台(ST2)的上面，设有可回收液体(LR)的回收口(51)。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 装置 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种曝光装置，经由投影光学系统将衬底曝光，该曝光装置的特征是，具备：第一载台，其在上述投影光学系统的像面侧，在与上述像面大致平行的二维平面内，可保持上述衬底并移动；第二载台，其在上述投影光学系统的像面侧，在与上述像面大致平行的二维平面内，可与上述第一载台独立地移动；浸液机构，其在上述第一载台及第二载台的至少一个的载台的上面形成液体的浸液区域，在上述第二载台的上面或其附近，设有可回收上述液体的回收口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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