[发明专利]应变全耗尽绝缘层上覆硅半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200580035899.X | 申请日： | 2005-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN101061587A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 相奇;N·苏巴;W·P·麦斯扎拉;Z·克里沃卡皮克;M－R·林 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种在其上具有绝缘体(104)的半导体衬底(102)，其中该绝缘体(104)上有半导体层(106)。形成深沟隔离区(108)，将应变导引入至该半导体层(106)。在该半导体层(106)上形成栅极电介质(202)与栅极(204)。围绕着该栅极(204)形成间隔体(304)，且将在该间隔体(304)外部的半导体层(106)与绝缘体(104)除去。在该间隔体(304)外部形成凹入式源极/漏极(402)。 | ||
| 搜索关键词： | 应变 耗尽 绝缘 层上覆硅 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法(700)，包括下列步骤：提供在其上具有绝缘体(104)的半导体衬底(102)，该绝缘体(104)上有半导体层(106)；形成深沟隔离区(108)，将应变引入至该半导体层(106)；在该半导体层(106)上形成栅极电介质(202)与栅极(204)；围绕该栅极(204)形成间隔体(304)；除去在该间隔体(304)外部的该半导体层(106)与该绝缘体(104)；以及在该间隔体(304)外部形成凹入式源极/漏极(402)。
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