[发明专利]单结晶制造装置无效
| 申请号： | 200580035146.9 | 申请日： | 2005-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN101040068A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 樱田昌弘 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高龙鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种单结晶制造装置，是通过切克劳斯基法来培养硅单结晶的单结晶制造装置，其特征为：至少在要进行前述单结晶的培养的室(chamber)内，具备气体整流筒，其被配置成可以围绕硅单结晶，用以调整被导入该室内的气流；在该气体整流筒的内侧，设置含有气泡的石英材料。由此，可以提供一种单结晶制造装置，当培养CZ硅单结晶的时候，能够将单结晶面内直径方向的F/G控制成一定而成为规定的值，而能够有效率地制造出在面内具有均匀且是所希望的缺陷区域的硅单结晶，进而防止Fe与Cu的杂质污染，而可以制造出高质量的硅单结晶。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 制造 装置 | ||
【主权项】：
1.一种单结晶制造装置，是通过切克劳斯基法来培养硅单结晶的单结晶制造装置，其特征为：至少在要进行前述单结晶的培养的室内，具备气体整流筒，其被配置成可以围绕硅单结晶，用以调整被导入该室内的气流；在该气体整流筒的内侧，设置含有气泡的石英材料。
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