[发明专利]含有Ga的氮化物半导体单晶、其制造方法以及使用该结晶的基片和器件无效
| 申请号： | 200580034210.1 | 申请日： | 2005-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN101035933A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 清见和正;长冈裕文;太田弘贵;藤村勇夫 | 申请（专利权）人： | 三菱化学株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C23C16/01 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种含Ga氮化物半导体单晶，其特征在于：(a)对含Ga氮化物半导体单晶照射波长450nm的光测定的最大反射率为20％以下，最大反射率和最小反射率之差为10％以内；(b)通过阴极发光法测定的位错密度的最大值和最小值之比(最大值/最小值)为10以下；(c)通过时间分辨发光法测定的寿命为95ps以上。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 ga 氮化物 半导体 制造 方法 以及 使用 结晶 器件 | ||
【主权项】：
1.一种含Ga氮化物半导体单晶，其具有用通式BxAlyGazIn1-x-y-zNsPtAs1-s-t(式中，0≤x≤1，0≤y＜1，0＜z≤1，0＜s≤1，0≤t＜1)表示的组成，并且，满足下述(a)、(b)、(c)中的至少一个：(a)对含Ga氮化物半导体单晶照射波长450nm的光而测定的最大反射率为20％以下，最大反射率和最小反射率之差为10％以内；(b)通过阴极发光法测定的位错密度的最大值和最小值之比(最大值/最小值)为10以下；(c)通过时间分辨发光法测定的寿命为95ps以上。
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