[发明专利]分割半导体晶片的方法和半导体器件的制造方法有效

专利信息
申请号: 200580033895.8 申请日: 2005-10-04
公开(公告)号: CN101036224A 公开(公告)日: 2007-09-12
发明(设计)人: 土师宏;有田洁;中川显;野田和宏 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 王玮
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 在包括由在半导体晶片上分别网格状排列的假想分割线以及作为半导体晶片外边界轮廓的圆周线划分的多个假想分割区域的半导体晶片中,放置掩模来使得与各个去除区域相对应的全部晶片表面露出,其中去除区域是由晶片的圆周线和假想分割线划分的近似三角形区域以及一些假想分割区域,然后在掩模放置侧表面执行等离子体蚀刻,由此半导体晶片沿分割线被分割成单独的半导体器件,同时晶片中对应于去除区域的部分被去除。
搜索关键词: 分割 半导体 晶片 方法 半导体器件 制造
【主权项】:
1.一种分割半导体晶片的方法,包括:在具有多个半导体器件的半导体晶片的掩模放置侧表面上放置掩模,其中每个半导体器件在每个单元器件形成区域中形成,单元器件形成区域是由假想分割线划分的矩形区域,以及由半导体晶片上分别网格状排列的假想分割线和作为半导体晶片外边界轮廓的圆周线划分的多个假想分割区域中的一些区域,放置掩模使得通过在晶片上排列分割线并和假想分割线对准来限定用于分割成单独的半导体器件片的分割线,并使得与各个去除区域相对应的全部晶片表面露出,其中去除区域是由晶片的圆周线和假想分割线划分的近似三角形区域以及一些假想分割区域,以及对其上放置了掩模的晶片掩模放置侧表面执行等离子体蚀刻,由此半导体晶片沿所限定的分割线被分割成单独的半导体器件,同时晶片中对应于去除区域的部分被去除。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社,未经松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200580033895.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top