[发明专利]铜配线的形成方法有效
| 申请号： | 200580032569.5 | 申请日： | 2005-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN101032007A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 渡部干雄;座间秀昭 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L23/52;H01L21/768;H01L21/28;H01L21/285;C23C16/18;C23C16/34;C07C49/92;C07F1/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 陈昕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明为了利用CVD法形成填入性、与基底层的密合性优良的铜配线，在已形成孔等的基板表面上，使用4价的酰胺类钒有机金属气体作为原料，另外使用叔丁基肼等作为还原性气体，利用CVD法形成由含有V或Ti的膜构成的基底层，在其上形成含铜膜，填入到孔等中，形成配线。可应用于半导体工业的铜配线领域。 | ||
| 搜索关键词： | 铜配线 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铜配线的形成方法，其特征在于，在形成孔或沟槽的成膜对象物上，使用4价的酰胺类钒有机金属原料气体或4价的酰胺类钛有机金属原料气体和还原性气体，利用CVD法形成由含钒膜或含钛膜构成的基底层，在其上利用CVD法形成含铜膜，填入该孔或沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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