[发明专利]Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体及其制备方法无效
| 申请号： | 200580032135.5 | 申请日： | 2005-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN101027787A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木诚;高田朋幸 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 柳春琦 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种III－V族化合物半导体。所述III－V族化合物半导体包含n－型层，由式InaGabAlcN表示的厚度不小于300nm的p－型层，和存在于n－型层和p－型层之间的多量子阱结构，所述多量子阱结构具有至少两个包括两个阻挡层和位于阻挡层之间的由InxGayAlzN表示的量子阱层的量子肼结构；并且R/α比率不大于42.5％，其中R是通过X射线衍射测量的量子阱层中氮化铟的平均摩尔分数，α是从因电流注入而由III－V族化合物半导体发出的光的波长计算的氮化铟的摩尔分数。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种III-V族化合物半导体，其包含：n-型层，p-型层，所述p-型层由式InaGabAlcN(a+b+c＝1，0≤a＜1，0＜b≤1，0≤c＜1)表示，厚度不小于300nm，和多量子阱结构，该多量子阱结构位于n-型层和p-型层之间，并且具有至少两个包括两个阻挡层和位于阻挡层之间的由式InxGayAlzN(x+y+z＝1，0＜x＜1，0＜y＜1，0≤z＜1)表示的量子阱层的量子阱结构；并且R/α比率不大于42.5％，其中R是通过X射线衍射测量的量子阱层中氮化铟(InN)的平均摩尔分数，α是从光的波长计算的氮化铟(InN)的摩尔分数，所述的光是因电流注入而由III-V族化合物半导体发出的。
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