[发明专利]晶格调谐半导体衬底的形成

摘要

一种形成晶格调谐半导体衬底的方法，包括如下步骤：在硅衬底(10)的表面上限定可优先形成位错的条纹状区域(16)；在所述条纹上生长第一SiGe层(18)，使得第一位错(20)优先穿过所述条纹区域之间的第一SiGe层延伸，从而减轻在第一SiGe层中横切于所述条纹的方向上的应变；并且在所述第一SiGe层的顶部生长第二SiGe层，使得第二位错(22)优先形成于所述第二SiGe层中，从而减轻在所述第二SiGe层中横切于第一方向(20)的方向上的应变。由此形成的位错用于在两个相互横切的方向上对材料进行应力释放，并且在空间上分离，从而使这两套位错不能彼此互相作用。因此，大幅减小了螺旋位错密度和表面粗糙度，进而通过减少原子晶格的断裂来提高虚拟衬底的性能，其中原子晶格的断裂可能导致有源器件中的电子散射和电子运动速度的下降。

主权项

1、一种形成晶格调谐半导体衬底的方法，包括：(a)在硅衬底(10)的表面限定平行的材料条纹(16)；(b)在包含所述材料条纹(16)的所述硅衬底的表面上生长SiGe层(18)，使得所述层(18)在所述衬底表面上连续地延伸，并且使得在所述层(18)中沿第一方向(20)产生第一位错，所述第一方向(20)横切于所述条纹(16)的延伸方向；和(c)在所述层(18)上进一步生长SiGe，使得沿横切于所述第一方向(20)的第二方向(22)产生第二位错。