[发明专利]N型Ⅲ族氮化物半导体叠层结构有效
| 申请号： | 200580030870.2 | 申请日： | 2005-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN101019243A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 武田仁志;三木久幸 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的一个目的为提供一种在最上表面中产生很少龟裂和凹坑的具有优良平坦度的低电阻n型Ⅲ族氮化物半导体叠层结构。本发明的n型Ⅲ族氮化物半导体叠层结构包括第一n型层和第二n型层，所述第一n型层包括含有高浓度n型杂质原子的层和含有低浓度n型杂质原子的层，所述第二n型层含有平均浓度低于所述第一n型层的n型杂质原子的平均浓度的n型杂质原子，所述第二n型层邻近所述第一n型层中的所述含有低浓度n型杂质原子的层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1.一种n型III族氮化物半导体叠层结构，包括第一n型层和第二n型层，所述第一n型层包括含有高浓度n型杂质原子的层和含有低浓度n型杂质原子的层，所述第二n型层含有平均浓度低于所述第一n型层的n型杂质原子的平均浓度的n型杂质原子，所述第二n型层邻近所述第一n型层中的所述含有低浓度n型杂质原子的层。
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