[发明专利]半导体冷却系统及其制造工艺无效
| 申请号： | 200580030505.1 | 申请日： | 2005-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101019218A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 埃列塞尔·阿达尔;弗拉迪米尔·戈特利布 | 申请（专利权）人： | D.T.N.R.有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/34 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 孙海龙 |
| 地址： | 以色列*** | 国省代码： | 以色列;IL |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体冷却系统及其制造工艺。一种用于诸如计算机中的微处理器这样的元件的冷却装置和一种用于制造这种冷却装置的工艺。该冷却装置通过提供将微处理器产生的热量扩散开来、从而将热量从微处理器中有效地热传导出去的金属填充层和金属板层而提供了冷却微处理器的有效结构。此外，可以利用半导体热电模块来进一步冷却微处理器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 冷却系统 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种冷却装置，所述冷却装置包括要加以冷却的并且包括输出热量的表面的元件；第一金属填充层，该第一金属填充层构成为用来覆盖所述元件的所述输出热量的表面的整个部分并且与之导热接触；第一金属板，该第一金属板覆盖所述第一金属填充层的表面并且与之导热接触，所述第一金属板的面积大于所述第一金属填充层的面积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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