[发明专利]等离子体处理装置有效
| 申请号： | 200580029854.1 | 申请日： | 2005-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN101010786A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 阿部寿治;高桥俊树;松浦广行 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种对被处理体(W)实施规定的等离子体处理的等离子体处理装置，该装置包括：能够抽成真空的处理容器(12)、保持上述被处理体的被处理体保持单元(20)、产生高频电压的高频电源(58)和将经过等离子体化的等离子体化气体供给至上述处理容器内的等离子体气体供给单元(38)。为了在上述处理容器内产生等离子体，通过配线(60)使均处于激发电极状态的一对等离子体电极(56A、56B)与上述高频电源的输出侧连接。并且，在上述配线的中途设置有高频匹配单元(72)，进一步使等离子体电极(56A、56B)均不接地。由此，能够增高等离子体密度，并提高等离子体生成效率。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，对被处理体实施规定的等离子体处理，其特征在于：包括：能够抽成真空的处理容器；保持所述被处理体的被处理体保持单元；产生高频电压的高频电源；将经过等离子体化的等离子体化气体供给至所述处理容器内的等离子体气体供给单元；为了在所述处理容器内产生等离子体，通过配线与所述高频电源的输出侧连接，均处于激发电极状态的一对等离子体电极；和设置在所述配线中途的具有阻抗的高频匹配单元，各等离子体电极不接地。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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