[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及具有NMOST 1和PMOST 2的CMOS器件(10)，所述NMOST 1和PMOST 2分别具有包括第一和第二导电材料的栅极区(1D、2D)，所述第一和第二导电材料由包含金属和另一元素的化合物组成。根据本发明，所述第一和第二导电材料都包括含有金属的化合物，以及从包括钼和钨的组中选择所述金属，以及第一导电材料包括作为另一元素的氧，以及第二导电材料包括作为另一元素的硫族元素。本发明还提供了一种所述设备的有吸引力的制造方法。

主权项

1.一种具有基板(11)和半导体主体(12)的半导体器件(10)，所述半导体主体(12)包括第一场效应晶体管(1)和第二场效应晶体管(2)，所述第一场效应晶体管(1)具有：第一源极区和第一漏极区(1A，1B)；第一电导类型的第一沟道；以及通过第一电介质区(1C)与所述第一沟道相隔离的、包括第一导电材料的第一栅极区(1D)，所述第二场效应晶体管(2)具有：第二源极区和第二漏极区(2A，2B)；与所述第一电导类型相反的第二电导类型的第二沟道；以及通过第二电介质区(2C)与所述第二沟道相隔离的、包括与所述第一导电材料不同的第二导电材料的第二栅极区(2D)，其中，所述第一和第二导电材料包括含有金属和另一元素的化合物，其特征在于：所述第一和第二导电材料均包括含有金属的化合物，所述金属从包括钼和钨的组中选择，以及所述第二导电材料包括作为另一元素的氧，以及所述第一导电材料包括作为另一元素的硫族元素。