[发明专利]基于FET的核酸探测传感器无效
| 申请号： | 200580028101.9 | 申请日： | 2005-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN101006338A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 大内真一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种核酸探测传感器包括场效应晶体管、基于场效应晶体管的阈值电压的变化程度从样品中探测具有序列的目标核酸分子的探测器，以及与目标核酸分子的对应一个杂交的并固定在场效应晶体管的栅上的至少一个核酸探针分子，其中场效应晶体管的栅宽度具有由下面给出的表达式(ε0εrkBT/e2n)1/2所获得的长度的量级，其中ε0是真空的介电常数，εr是沟道区的相对介电常数，kB是玻尔兹曼常数，T是沟道区的绝对温度，e是元电荷，并且n是场效应晶体管中形成沟道的沟道区中的平衡载流子密度。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 fet 核酸 探测 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种核酸探测传感器，包括：场效应晶体管；基于场效应晶体管的阈值电压的变化程度从样品中探测具有序列的目标核酸分子的探测器；以及与目标核酸分子的对应一个杂交的、并固定在场效应晶体管的栅上的至少一个核酸探针分子，其中场效应晶体管的栅宽度具有由下面给出的表达式所获得的长度的量级：(ε0εrkBT/e2n)1/2 其中ε0是真空的介电常数，εr是沟道区的相对介电常数，kB是玻尔兹曼常数，T是沟道区的绝对温度，e是元电荷，并且n是场效应晶体管中形成沟道的沟道区中的平衡载流子密度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580028101.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种Bi2O2CO3-WO3复合光催化剂及其制备方法
- 下一篇：喷墨记录材料
