[发明专利]半导体存储器设备无效
| 申请号： | 200580027855.2 | 申请日： | 2005-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN101023477A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | Z·陈;M·D·约翰逊;L·T·特兰 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | G11B9/00 | 分类号： | G11B9/00;G11B9/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;刘杰 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体存储器设备(30)，包括尖端电极(40，42，114)、介质电极(48)和存储介质(44)。该存储介质具有存储区域(46)，所述存储区域(46)可通过使电流(60)流过在尖端电极和介质电极之间的存储区域而被配置为处于多个结构状态之一，以用于表示在所述存储区域所存储的信息。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器(30)设备，包括：尖端电极(40，42，114)；介质电极(48)；具有存储区域(46)的存储介质(44)，所述存储区域(46)可通过使电流(60)流过在尖端电极和介质电极之间的存储区域而被配置为处于多个结构状态之一，以用于表示在所述存储区域所存储的信息。
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