[发明专利]制备氮化硅膜的方法

摘要

(问题)提供一种通过气相沉积制备氮化硅膜的方法，当使用三甲硅烷基胺作为前体时，该方法可得到具有优良膜性能的氮化硅膜，以及可在较低温度下以较高生长速率得到。(解决方案)制备氮化硅膜的方法，所述方法特征在于向包含至少一个基体的反应室中供入气态三甲硅烷基胺和包含选自式(1)NR¹R²R³胺类化合物(R¹、R²和R³各自独立地选自氢和C_1－6烃基)的至少两种胺类化合物的气态氮源以及通过将所述三甲硅烷基胺和所述氮源反应而在所述至少一个基体上形成氮化硅膜。

主权项

1.一种制备氮化硅膜的方法，所述方法特征在于向包含至少一个基体的反应室中供入气态三甲硅烷基胺和包含选自式(1)NR1R2R3 (1)(R1、R2和R3各自独立地选自氢和C1-6烃基)胺类化合物的至少两种胺类化合物的气态氮源以及通过将所述三甲硅烷基胺和所述氮源反应而在所述至少一个基体上形成氮化硅膜。