[发明专利]具有较小平带位移的硅质膜及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200580026893.6 申请日: 2005-08-12
公开(公告)号: CN101001930A 公开(公告)日: 2007-07-18
发明(设计)人: 清水泰雄;一山昌章;名仓映乃 申请(专利权)人: AZ电子材料(日本)株式会社
主分类号: C09D183/16 分类号: C09D183/16;H01L21/762;H01L21/316;B32B18/00;H01L29/78;C01B33/12;B32B9/00;H01B3/46
代理公司: 北京三幸商标专利事务所 代理人: 刘激扬
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及一种制备具有良好绝缘性的硅质膜的方法,及应用于该方法的涂料组合物。该涂料组合物包含数均分子量为100~50,000的全氢聚硅氮烷或改性全氢聚硅氮烷,以及铝化合物,用铝原子与硅原子的摩尔比表示,该涂料组合物的含铝量不小于10ppb,不大于100ppm。硅质膜是将涂料组合物涂覆到基板上,而后在含蒸汽、氧或由蒸汽和氧组成的混合气体的环境中烧制该涂覆的基板制备的。
搜索关键词: 具有 较小 位移 质膜 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种涂料组合物,包含:至少一种选自由数均分子量为100~50,000的全氢聚硅氮烷和改性全氢聚硅氮烷组成的组中的聚硅氮烷化合物,铝化合物和溶剂,用聚硅氮烷化合物中包含的铝原子与硅原子的摩尔比表示,该涂料组合物的含铝量不小于10ppb,不大于100ppm。
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