[发明专利]高端CMOS的FEOL/MEOL金属电阻器有效
| 申请号： | 200580026434.8 | 申请日： | 2005-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN101088145A | 公开（公告）日： | 2007-12-12 |
| 发明（设计）人： | 阿尼克·K.·秦塔金迪;道格拉斯·D.·库尔伯格;维德赫亚·拉马昌德兰;罗伯特·M.·拉塞尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了具有紧密薄膜电阻容限(大约5％或更小)，高电流密度(大约0.5毫安/微米或更大)，比扩散电阻器更低的寄生并且比标准BEOL金属电阻器更低的TCR以及把这种金属电阻器结构(32)集成到CMOS技术的FEOL/MEOL金属电阻器(32)。 | ||
| 搜索关键词： | 高端 cmos feol meol 金属 电阻器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体IC结构，包括：半导体衬底，包含位于其表面的至少一个前段制程器件(FEOL)；位于所述半导体衬底的所述表面上或与该表面非常接近的至少一个电阻器，所述至少一个电阻器至少包括导电金属；以及在所述至少一个电阻器之上的第一层金属。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580026434.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：导尿管组件
- 下一篇：用于控制显示装置的方法和电路
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
