[发明专利]使用多激光束光斑的半导体结构处理有效
| 申请号: | 200580026305.9 | 申请日: | 2005-06-16 |
| 公开(公告)号: | CN101023510A | 公开(公告)日: | 2007-08-22 |
| 发明(设计)人: | K·J·布吕兰;H·W·洛;B·W·贝尔德;F·G·埃文斯;R·S·哈里斯;Y·孙;S·N·斯瓦伦 | 申请(专利权)人: | 电子科学工业公司 |
| 主分类号: | H01L21/26 | 分类号: | H01L21/26 |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵蓉民 |
| 地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 使用多个激光束处理处于半导体基片(740)之上或之内的导电性链路的方法和系统。例如,使用N个连续激光脉冲以获得吞吐量益处的方法,其中N≥2。所述链路被布置在多个大致平行的沿大体纵向延伸的行中。所述N个连续激光脉冲沿着各自的N个射束轴线传播,直至入射到选定链路。产生的激光光斑的图案可以位于N个不同行的链路上,或同一行的不同链路上,或在同一链路上,或者部分或者完全重叠。产生的激光光斑可以在行的纵向上彼此偏移,或在垂直于行的纵向的方向上彼此偏移,或在两个方向上都彼此偏移。 | ||
| 搜索关键词: | 使用 激光束 光斑 半导体 结构 处理 | ||
【主权项】:
1.一种用于使用多个激光束来选择性地辐照半导体基片(740)之上或之内的结构的方法,所述结构被布置在多个大致平行的沿大体纵向延伸的行中,所述方法包括:沿着具有第一轴线的第一传播路径传播第一激光束,所述第一轴线在给定时间入射到所述半导体基片(740)之上或之内的第一位置,所述第一位置在第一行结构中的一结构之上或者在所述第一行中的两个相邻结构之间;沿着具有第二轴线的第二传播路径传播第二激光束,所述第二轴线在给定时间入射到所述半导体基片(740)之上或之内的第二位置,所述第二位置在第二行结构中的一结构之上或者在所述第二行中的两个相邻结构之间,所述第二行不同于所述第一行,其中所述第二位置在所述行的纵向上与所述第一位置偏离一定距离;和相对于所述半导体基片(740),沿着所述行的纵向大致协同地移动所述第一和第二激光束轴线,从而分别使用所述第一和第二激光束来选择性地辐照所述第一行或第二行中的结构。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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