[发明专利]形成具有精确特性的集成电路部件的系统和方法无效
| 申请号： | 200580025639.4 | 申请日： | 2005-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN1993820A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | C·A·韦斯特 | 申请（专利权）人： | 凸版光掩膜公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/82;H01L21/306;H01L21/3205;H01L23/58;G03F9/00;G06F17/50 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;王忠忠 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种形成集成电路部件的方法。提供了一种包括第一掩模特征的光掩模，该第一掩模特征包括具有对应于第一类型的集成电路(IC)部件的掩模特征几何形状。执行第一光刻工艺，以将第一掩模特征几何形状转移到半导体晶片，以在半导体晶片上形成第一IC部件。测量半导体晶片上的第一IC部件的至少一个电特性。至少基于第一IC部件的该至少一个电特性的测量结果物理地修改第一掩模特征几何图形。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 精确 特性 集成电路 部件 系统 方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成集成电路部件的方法，包括：提供光掩模，其包括具有对应于第一类型的集成电路(IC)部件的第一掩模特征几何形状的第一掩模特征；执行第一光刻工艺，以将第一掩模特征几何形状转移到第一半导体晶片区，以在第一半导体晶片区中形成第一IC部件；测量第一IC部件的至少一个电特性；以及至少基于对第一IC部件的该至少一个电特性的测量的结果，物理地修改第一掩模特征几何形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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