[发明专利]对互补金属氧化物半导体集成电路的NMOS和PMOS晶体管使用不同栅电介质无效
| 申请号： | 200580025620.X | 申请日： | 2005-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN1993824A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | M·梅茨;S·达塔;J·卡瓦利罗斯;M·多茨;J·布拉斯克;R·曹 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 可以利用具有不同栅电介质的NMOS和PMOS晶体管形成互补金属氧化物半导体集成电路。例如，可通过减法工艺形成不同的栅电介质。作为几个实例，这些栅电介质可以在材料、厚度、或者形成技术方面是不同的。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体 集成电路 nmos pmos 晶体管 使用 不同 电介质 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在衬底上限定NMOS和PMOS晶体管区域；在NMOS或PMOS区域中的一个上方形成掩模；在衬底上和掩模上方形成第一栅电介质，以形成第一导电类型的晶体管；掩蔽所述第一栅电介质；以及形成第二栅电介质，以形成第二导电类型的晶体管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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