[发明专利]用于有混合和超低电压源的高速技术的静电放电保护结构无效
| 申请号： | 200580025414.9 | 申请日： | 2005-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN101019292A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 马库斯·保罗·卓塞弗·莫根斯;科尼利厄斯·克里斯琴·卢斯;约翰·阿默;科恩·格拉尔德·玛利亚·维哈格 | 申请（专利权）人： | 沙诺夫公司;沙诺夫欧洲公司 |
| 主分类号： | H02H9/00 | 分类号： | H02H9/00;H02H3/20;H02H3/22 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蒋世迅 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种在有受保护电路的半导体集成电路(IC)中的静电放电(ESD)保护电路。在一个实施例中，该ESD保护电路包括：衰减器，适合于连接到IC中受保护电路的节点的第一电压源；和可控硅整流器(SCR)，有适合于耦合到第一电压源的阳极，和适合于耦合到第二电压源的阴极。至少一个电容导通装置分别耦合在SCR的第一栅极与第一电压源，和SCR的第二栅极与第二电压源中的至少一个之间。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 混合 电压 高速 技术 静电 放电 保护 结构 | ||
【主权项】：
1.一种在有受保护电路的半导体集成电路(IC)中的静电放电(ESD)保护电路，该ESD保护电路包括：衰减器，适合于连接到IC中受保护电路的节点的第一电压源；可控硅整流器(SCR)，有适合于耦合到第一电压源的阳极，和适合于耦合到第二电压源的阴极；至少一个电容导通装置，分别耦合在所述SCR的第一栅极与第一电压源，和所述SCR的第二栅极与第二电压源的至少之一之间。
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