[发明专利]具有减小反射的层序列的发光二极管有效

专利信息
申请号: 200580025264.1 申请日: 2005-06-15
公开(公告)号: CN1989629A 公开(公告)日: 2007-06-27
发明(设计)人: 伊内斯·皮聪卡;沃尔夫冈·施密德;拉尔夫·维尔特 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 杨生平;杨红梅
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及一种包括有源区(7)的发光二极管,其向主辐射方向(15)发射电磁辐射,其中在主辐射方向(15)上,减小反射的层序列(16)设置在所述有源区(7)之后,所述减小反射的层序列(16)包含:由至少一个层对(11,12)构成的DBR反射器(13),在主辐射方向(15)上跟在所述DBR反射器(13)之后的增透层(9),以及设置在所述DBR反射器(13)与所述增透层(9)之间的中间层(14)。
搜索关键词: 具有 减小 反射 序列 发光二极管
【主权项】:
1.一种具有有源区(7)的发光二极管(1),所述有源区向主辐射方向(15)发射电磁辐射,其中在所述主辐射方向(15)中,减小反射的层序列(16)设置在所述有源区(7)之后,其特征在于,所述减小反射的层序列(16)包含:-由至少一个层对(11,12)构成的DBR反射器(13),-在所述主辐射方向(15)上跟在所述DBR反射器(13)之后的增透层(9),以及-设置在所述DBR反射器(13)与所述增透层(9)之间的中间层(14)。
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