[发明专利]通过直接写入技术制造电子电路器件的方法无效
| 申请号： | 200580025126.3 | 申请日： | 2005-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN101002515A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 戴维·托马斯·巴伦;汉内斯－彼得·霍夫曼;莱因哈德·施奈德 | 申请（专利权）人： | 埃托特克德国有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/10 | 分类号： | H05K3/10;H05K3/46;H05K3/12;H05K3/40;H05K3/18;H05K1/18;C23C18/16;H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于以适当的工作量在电子电路组件上产生极小线路和间隔(≤25μm，优选≤10μm并且低至5μm)的方法，其包括以下方法步骤：a)提供电介质层；b)通过激光烧蚀在该电介质层中形成三维结构，以便在选自包括沟槽和元件凹陷的组的该层中提供一个或多个结构元件；c)将流体施加到暴露在结构元件中的电介质层的至少部分表面区域，该流体在该表面上包含或形成导电微粒或本征导电聚合物中的至少一种；以及d)将至少部分的表面区域金属化。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 直接 写入 技术 制造 电子电路 器件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造电子电路组件的方法，该组件包括一个或多个电介质层，每一层具有导线结构，该方法包括以下方法步骤：a)提供该电介质层；b)通过激光烧蚀在该电介质层中形成三维结构，以便在该层中提供选自包括沟槽和元件凹陷的组的一或多个结构元件；c)将流体施加到曝露在所述结构元件中的该电介质层的至少部分表面区域，该流体在该表面上包含或形成导电微粒或本征导电聚合物中的至少一种；以及d)将至少部分的所述表面区域金属化。
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