[发明专利]发光元件和发光设备有效
| 申请号： | 200580024622.7 | 申请日： | 2005-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN101023708A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | 熊木大介;池田寿雄;安部宽子;濑尾哲史 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H05B33/12 | 分类号： | H05B33/12;H05B33/14;H05B33/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李亚非;梁永 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的一种发光元件包括在第一和第二电极之间的n片发光层(n是自然数)。在第m发光层(m是自然数：1≤m≤n)和第m+1发光层之间的第一层和第二层被提供。该第一和第二层互相接触。该第一层包含容易传输空穴的物质和具有受电子特性的物质。该第二层包含容易传输电子的物质和具有给电子特性的物质。钼氧化物用作为具有受电子特性的物质。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 设备 | ||
【主权项】：
1.一种发光元件，包括：在第一电极和第二电极之间的n片发光层(n是自然数)；和在第m发光层(m是自然数：1≤m≤n)和第m+1发光层之间的、包含容易传输空穴的物质和具有受电子特性的物质的第一层和包含容易传输电子的物质和具有给电子特性的物质的第二层，该第二层与第一层接触，其中具有受电子特性的物质是钼氧化物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580024622.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：可调整切割深度的便携式切割装置
- 下一篇：串联泵的无载运行装置
