[发明专利]制作具有再生长欧姆接触区的氮化物基晶体管的方法以及具有再生长欧姆接触区的氮化物基晶体管有效
| 申请号： | 200580024502.7 | 申请日： | 2005-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN1998085A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | A·W·萨克斯勒;R·P·史密斯 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 晶体管制作包括在衬底上形成氮化物基沟道层、在该氮化物基沟道层上形成阻挡层、在该阻挡层中形成接触凹进以暴露该氮化物基沟道层的接触区、例如利用低温沉积工艺在该氮化物基沟道层的该暴露的接触区上形成接触层、在该接触层上形成欧姆接触并且形成设置在阻挡层上与该欧姆接触相邻的栅接触。也提供了高电子迁移率晶体管(HEMT)和制作HEMT的方法。该HEMT包括在衬底上的氮化物基沟道层、在该氮化物基沟道层上的阻挡层、在该阻挡层中延伸到该沟道层中的接触凹进、在该接触凹进中该氮化物基沟道层上的n型氮化物基半导体材料接触区、在该氮化物基接触区上的欧姆接触和设置在阻挡层上与该欧姆接触相邻的栅接触。该n型氮化物基半导体材料接触区和该氮化物基沟道层包括表面面积扩大结构。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 具有 再生 欧姆 接触 氮化物 晶体管 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种制作晶体管的方法，包括：在衬底上形成氮化物基沟道层；在该氮化物基沟道层上形成阻挡层；在该阻挡层中形成接触凹进以暴露该氮化物基沟道层的接触区；利用低温沉积工艺在该氮化物基沟道层的该暴露的接触区上形成接触层；在该接触层上形成欧姆接触；以及形成设置在阻挡层上与该欧姆接触相邻的栅接触。
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