[发明专利]纳米尺度FET无效
| 申请号： | 200580023972.1 | 申请日： | 2005-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN1985378A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | R·叙尔迪努;P·阿加瓦尔;A·R·巴尔克宁德;E·P·A·M·巴克斯 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/775 | 分类号： | H01L29/775;H01L29/78;H01L51/05;H01L51/30;H01L21/336;B82B3/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 康正德;魏军 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 晶体管器件由连续的线形纳米结构形成，该纳米结构具有源区、漏区以及源区和漏区之间的沟道区。源区(20)和漏区(26)由纳米线形成而沟道区(24)由纳米管形成。提供与沟道区(24)相邻的绝缘栅极(32)，用以控制源区和漏区之间沟道区中的导电性。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 尺度 fet | ||
【主权项】：
1.一种晶体管器件，包括：连续的线形纳米结构(18)，该纳米结构具有掺杂的源区(20)、掺杂的漏区(26)以及源区(20)和漏区(26)之间的沟道区(24)；以及与沟道区相邻的绝缘的栅极(32)，用以控制源区和漏区之间的沟道区中的导电性。其中源区(20)是纳米线；漏区(26)是纳米线；且沟道区(24)是在源区和漏区之间延伸的纳米管。
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