[发明专利]曝光装置、曝光方法及组件制造方法有效
| 申请号： | 200580023601.3 | 申请日： | 2005-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN101002299A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 大和壮一;长坂博之;菅原龙 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 许海兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供曝光装置(EX)，其具备投影光学系统(PL)，该投影光学系统(PL)具有最靠近投影光学系统(PL)的像面的第1光学元件(LS1)。曝光装置(EX)具备：第1液浸机构(1)，用以在设置于投影光学系统(PL)像面侧的透明构件(64)的上面(65)与第1光学元件(LS1)之间形成第1液体(LQ1)的第1液浸区域(LR1)；及观察装置(60)，用以观察第1液浸区域(LR1)的状态。从而，能掌握液体的液浸区域的状态，执行最适当的液浸曝光。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 装置 方法 组件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种曝光装置，透过液浸区域的液体将基板曝光，其特征在于具备：投影光学系统，具有最靠近该投影光学系统的像面的第1光学元件；液浸机构，在设置于该投影光学系统的像面侧的既定面与该第1光学元件之间形成液体的液浸区域；及观察装置，用以观察该液浸区域的状态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社尼康，未经株式会社尼康许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580023601.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
