[发明专利]双层抗蚀剂等离子体蚀刻方法有效
| 申请号： | 200580022339.0 | 申请日： | 2005-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN1985335A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | W·阮;C·李 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;G03C5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘春元;张志醒 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于在等离子体蚀刻室中对在衬底上所限定的双层抗蚀剂进行蚀刻的方法。该方法开始于将具有在双层抗蚀剂的第一层上所定义的图案的衬底导入蚀刻室中。然后，使SiCl4气体流入蚀刻室。接下来，在使SiCl4流入时在蚀刻室中轰击等离子体。然后蚀刻双层抗蚀剂。 | ||
| 搜索关键词： | 双层 抗蚀剂 等离子体 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在等离子体蚀刻室中对在衬底上所限定的双层抗蚀剂进行蚀刻的方法，包含以下方法操作：将具有在双层抗蚀剂的第一层上所定义的图案的衬底导入蚀刻室中；使SiCl4气体流入蚀刻室中；在使SiCl4气体流入时，在蚀刻室中轰击等离子体；和蚀刻双层抗蚀剂。
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