[发明专利]纳米线生长和获取的体系和方法有效
| 申请号： | 200580021904.1 | 申请日： | 2005-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101010780A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 潘尧令;段镶锋;B·杜布罗;J·戈德曼;S·莫斯特拉谢;牛春明;L·T·罗马诺;D·斯顿博 | 申请（专利权）人： | 纳米系统公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王旭 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及纳米线生长和获取的体系和方法。在一个实施方案中，提供纳米线生长和掺杂的方法，包括使用硅前体的组合的用于外延取向纳米线生长的方法。在本发明的又一个方面中，提供通过牺牲生长层的使用提高纳米线质量的方法。在本发明的另一个方面中，提供用于将纳米线从一个衬底转移到另一个衬底的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 生长 获取 体系 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制备纳米线的方法，该方法包括：(a)在衬底材料上沉积一个或多个成核颗粒；(b)将所述成核颗粒加热至第一温度；(c)使所述成核颗粒与第一前体气体混合物接触以产生液体合金小滴，从而引发纳米线生长；(d)将所述合金小滴加热至第二温度；和(e)使所述合金小滴与第二前体气体混合物接触，由此在所述合金小滴的位置生长纳米线。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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