[发明专利]非易失性存储器件

摘要

在使用电阻变化材料的非易失性存储器件中，当晶态和非晶态混存时，结晶化时间变短，因而缩短了信息保存寿命。由于与电阻变化材料接触的材料的热传导率不高，所以不能快速地进行改写时的热消散，改写需要较长时间。本发明使电阻变化材料与下部电极的接触面积、和与上部电极的接触面积相同，使电流路径均匀。提供在电阻变化材料的侧壁接触配置热传导率高的材料且使其端部也与下部电极接触的结构。

主权项

1.一种非易失性存储器件，其特征在于：具有第一导电层，形成在衬底上；层间绝缘膜，形成在上述第一导电层上；第二导电层，形成在上述层间绝缘膜上；以及层叠膜，层叠与上述第一导电层接触设置的第三导电层、形成在该第三导电层上并根据加热条件来使结晶或者非结晶的任一个状态转变而使其电阻值变化的电阻变化层、形成在该电阻变化层上并和上述第二导电层相连接的第四导电层，在上述第一导电层上被上述层间绝缘膜包围而形成为柱状，其中，在上述层叠膜的至少上述电阻变化层的侧壁面形成有薄膜层，该薄膜层由与上述层间绝缘膜相比热传导率高的材料构成，该薄膜层的一端与至少上述第一导电层或者上述第二导电层的任一个相接触。