[发明专利]有机硅氧烷膜、使用它的半导体器件及平面显示器件以及原料液无效
| 申请号： | 200580020360.7 | 申请日： | 2005-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN1969379A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 龙崎大介;福田宏 | 申请（专利权）人： | 日立化成工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 熊志诚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种延长介电常数低的有机硅氧烷膜的介电常数寿命的材料设计指南。在介电常数为2.1以下的有机硅氧烷膜中，将膜中的碳量相对硅量的元素比做成0.10以上0.55以下。 | ||
| 搜索关键词： | 有机硅 氧烷膜 使用 半导体器件 平面 显示 器件 以及 原料 | ||
【主权项】：
1.一种有机硅氧烷膜，其介电常数为2.1以下，且至少包含硅、氧、碳、氢，其特征在于，该有机硅氧烷膜的碳量相对硅量的元素比为0.10以上0.55以下。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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