[发明专利]等离子体离子注入系统的原位处理室制备方法无效
| 申请号： | 200580020329.3 | 申请日： | 2005-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN1977351A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 维克拉姆·辛格;阿图尔·古普塔;哈罗尔德·M·佩尔欣;史蒂文·R·沃尔瑟;安妮·L·泰斯托尼 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备联合公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;刘继富 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种衬底的等离子体离子注入方法，所述方法包括：提供包含处理室、在处理室内生产等离子体的源、在处理室内支持衬底的台板和加速离子从等离子体进入衬底的电压电源的等离子体离子注入系统；在处理室的内表面上沉积新涂层，所述涂层在组成上类似于由衬底的等离子体离子注入所产生的沉积膜；在沉积新涂层之前，通过使用一种或多种活性清洗前体除去旧膜来清洗处理室的内表面；根据等离子体离子注入方法进行衬底的等离子体离子注入和在一个或多个衬底的等离子体离子注入之后重复清洗处理室的内表面和沉积新涂层的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 离子 注入 系统 原位 处理 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于衬底的等离子体离子注入的方法，包括：提供包括处理室、在处理室内产生等离子体的源、在处理室内支持衬底的台板和加速离子从等离子体进入衬底的电压电源的等离子体离子注入系统；在处理室的内表面上沉积涂层，所述涂层与在处理室内进行的等离子体离子注入过程相容；和根据等离子体离子注入方法进行衬底的等离子体离子注入。
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