[发明专利]制造锰铝铜强磁性合金、半锰铝铜强磁性合金、填充式方钴矿基合金的方法以及利用它们的热电转换系统有效
| 申请号： | 200580020280.1 | 申请日： | 2005-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN1969354A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 中岛健一朗 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01H35/18 | 分类号： | H01H35/18;H01L35/22;C22C12/00;C22F1/00;C22F1/16 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是通过以1×102至1×103℃/秒的冷却速率淬火固化熔融合金来制造锰铝铜强磁性合金、半锰铝铜强磁性合金和方钴矿合金的方法。这类材料可以用作热电转换元件。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 锰铝铜强 磁性 合金 半锰铝铜强 填充 式方钴矿基 方法 以及 利用 它们 热电 转换 系统 | ||
【主权项】：
1.一种制造方钴矿化合物的方法，包括以下步骤：加热原材料合金以获得熔融合金，以及以1×102至1×103℃/秒的冷却速率淬火固化熔融合金。
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