[发明专利]主动矩阵电子阵列装置有效
| 申请号： | 200580020224.8 | 申请日： | 2005-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN1998083A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | P·W·葛林 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/84;G02F1/1362;H01L21/336;H01L29/786;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;王忠忠 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明提供一种主动矩阵装置，其具有装置元件之一阵列(54)，每一装置元件包含至少一个薄膜电晶体(34)。一薄膜导电加热器元件配置(10)提供于该装置之一基板上，且该等薄膜电晶体之半导体岛提供于该加热器元件配置(10)上。该加热配置可保持在该装置中之适当位置处，藉此避免对处理过程中移除该加热器元件配置之层的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 主动 矩阵 电子 阵列 装置 | ||
【主权项】：
1.一种主动矩阵电子阵列装置，其包含装置元件之一阵列(54)，每一装置元件包含至少一个薄膜电晶体(34)，其中该装置包含：一基板(12)；一提供於该基板上之薄膜导电加热器元件配置(10)；一提供於该加热器元件配置(10)上之电性绝缘层(16)；及界定该等薄膜电晶体并提供於该电性绝缘层(16)上之复数个薄膜层，该等薄膜层包含一半导体层(18)，且其中界定该等薄膜电晶体之该半导体层(18)之至少部分系提供於该加热器元件配置(10)上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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