[发明专利]高压器件结构有效
| 申请号： | 200580019426.0 | 申请日： | 2005-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN1969389A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | T·莱塔维克;J·佩特鲁泽洛 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L21/336;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘红;梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明提供一种垂直锥形电介质高压器件(10)，其中器件漂移区被垂直沟槽中形成的MOS场板(30)的行为耗尽。该高压器件包括：衬底(32)；衬底上形成的具有条形几何图形的硅台面(20)，其中硅台面提供具有恒定掺杂剖面的漂移区；硅台面上形成的隐藏式栅极(22)和源极(SN)；与硅台面每一端相邻的沟槽(26)；以及每个沟槽中形成的金属－电介质场板结构(12)；其中每个金属－电介质场板结构包括电介质(28)和电介质上形成的金属场板(30)，且其中电介质的厚度随着沟槽的深度线性增加以提供恒定的纵向电场。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 器件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种高压器件(10)，包括：衬底(32)；衬底上形成的硅台面(20)，其中硅台面提供具有恒定掺杂剖面的漂移区；硅台面上形成的隐藏式栅极(22)和源极(SN)；与硅台面每一端相邻的沟槽(26)；以及每个沟槽中形成的金属-电介质场板结构(12)；其中每个金属-电介质场板结构包括电介质(28)和在所述电介质上形成的金属场板(30)，且其中电介质的厚度随着沟槽的深度线性增加以提供恒定的纵向电场。
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