[发明专利]硅光电倍增器(变型)及硅光电倍增器单元有效
申请号: | 200580019248.1 | 申请日: | 2005-05-05 |
公开(公告)号: | CN1998091A | 公开(公告)日: | 2007-07-11 |
发明(设计)人: | 艾莲娜·V·波波娃;谢尔盖·N·克莱曼;列昂尼德·A·菲拉托夫 | 申请(专利权)人: | 马普科技促进协会;鲍里斯·阿纳托列维奇·多尔戈舍伊恩 |
主分类号: | H01L31/06 | 分类号: | H01L31/06 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 蒋世迅 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及高效率光记录检测器,并可用于核工程和激光工程,以及用于工业和医学断层摄影术等。本发明的硅光电倍增器(变型1)包括掺杂浓度是在1018-1020cm-3范围内的p++型导电基片,并由多个单元构成,每个单元包含p-导电型外延层,掺杂浓度是在1018-1014cm-3范围内逐渐变化,并生长在基片上;掺杂浓度是在1015-1017cm-3范围内的p-导电型层;和掺杂浓度是在1018-1020cm-3范围内的n+导电型层,其中连接n+层与馈送条的多晶硅电阻安排在每个单元的二氧化硅层上,和分隔元件设置在各个单元之间。所述硅光电倍增器(变型2)包括n-型导电基片,在该基片上施加掺杂浓度是在1018-1020cm-3范围内的p++型导电层,并由多个单元构成,其中每个单元的多晶硅电阻设置在二氧化硅层上,和分隔元件设置在各个单元之间。 | ||
搜索关键词: | 光电 倍增器 变型 单元 | ||
【主权项】:
1.一种硅光电倍增器,包括掺杂剂浓度为1018-1020cm-3的p++导电型基片,其特征是,所述光电倍增器是由多个单元构成,每个单元包含掺杂剂浓度是在1018-1014cm-3范围内逐渐变化的p导电型外延层,所述外延层生长在基片上,掺杂剂浓度为1015-1017cm-3的p导电型层,掺杂剂浓度为1018-1020cm-3的n+导电型层,多晶硅电阻是在每个单元的二氧化硅层上,所述多晶硅电阻连接n+导电型层与电压分布母线,和分隔单元设置在各个单元之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于马普科技促进协会;鲍里斯·阿纳托列维奇·多尔戈舍伊恩,未经马普科技促进协会;鲍里斯·阿纳托列维奇·多尔戈舍伊恩许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200580019248.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:自动尿滴监测报警输液调节装置
- 下一篇:在播放过程中截取画面的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的