[发明专利]硅光电倍增器(变型)及硅光电倍增器单元

摘要

本发明涉及高效率光记录检测器，并可用于核工程和激光工程，以及用于工业和医学断层摄影术等。本发明的硅光电倍增器(变型1)包括掺杂浓度是在10¹⁸－10²⁰cm^－3范围内的p++型导电基片，并由多个单元构成，每个单元包含p－导电型外延层，掺杂浓度是在10¹⁸－10¹⁴cm^－3范围内逐渐变化，并生长在基片上；掺杂浓度是在10¹⁵－10¹⁷cm^－3范围内的p－导电型层；和掺杂浓度是在10¹⁸－10²⁰cm^－3范围内的n+导电型层，其中连接n+层与馈送条的多晶硅电阻安排在每个单元的二氧化硅层上，和分隔元件设置在各个单元之间。所述硅光电倍增器(变型2)包括n－型导电基片，在该基片上施加掺杂浓度是在10¹⁸－10²⁰cm^－3范围内的p++型导电层，并由多个单元构成，其中每个单元的多晶硅电阻设置在二氧化硅层上，和分隔元件设置在各个单元之间。

主权项

1.一种硅光电倍增器，包括掺杂剂浓度为1018-1020cm-3的p++导电型基片，其特征是，所述光电倍增器是由多个单元构成，每个单元包含掺杂剂浓度是在1018-1014cm-3范围内逐渐变化的p导电型外延层，所述外延层生长在基片上，掺杂剂浓度为1015-1017cm-3的p导电型层，掺杂剂浓度为1018-1020cm-3的n+导电型层，多晶硅电阻是在每个单元的二氧化硅层上，所述多晶硅电阻连接n+导电型层与电压分布母线，和分隔单元设置在各个单元之间。