[发明专利]硅光电倍增器(变型)及硅光电倍增器单元有效

专利信息
申请号: 200580019248.1 申请日: 2005-05-05
公开(公告)号: CN1998091A 公开(公告)日: 2007-07-11
发明(设计)人: 艾莲娜·V·波波娃;谢尔盖·N·克莱曼;列昂尼德·A·菲拉托夫 申请(专利权)人: 马普科技促进协会;鲍里斯·阿纳托列维奇·多尔戈舍伊恩
主分类号: H01L31/06 分类号: H01L31/06
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 蒋世迅
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及高效率光记录检测器,并可用于核工程和激光工程,以及用于工业和医学断层摄影术等。本发明的硅光电倍增器(变型1)包括掺杂浓度是在1018-1020cm-3范围内的p++型导电基片,并由多个单元构成,每个单元包含p-导电型外延层,掺杂浓度是在1018-1014cm-3范围内逐渐变化,并生长在基片上;掺杂浓度是在1015-1017cm-3范围内的p-导电型层;和掺杂浓度是在1018-1020cm-3范围内的n+导电型层,其中连接n+层与馈送条的多晶硅电阻安排在每个单元的二氧化硅层上,和分隔元件设置在各个单元之间。所述硅光电倍增器(变型2)包括n-型导电基片,在该基片上施加掺杂浓度是在1018-1020cm-3范围内的p++型导电层,并由多个单元构成,其中每个单元的多晶硅电阻设置在二氧化硅层上,和分隔元件设置在各个单元之间。
搜索关键词: 光电 倍增器 变型 单元
【主权项】:
1.一种硅光电倍增器,包括掺杂剂浓度为1018-1020cm-3的p++导电型基片,其特征是,所述光电倍增器是由多个单元构成,每个单元包含掺杂剂浓度是在1018-1014cm-3范围内逐渐变化的p导电型外延层,所述外延层生长在基片上,掺杂剂浓度为1015-1017cm-3的p导电型层,掺杂剂浓度为1018-1020cm-3的n+导电型层,多晶硅电阻是在每个单元的二氧化硅层上,所述多晶硅电阻连接n+导电型层与电压分布母线,和分隔单元设置在各个单元之间。
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