[发明专利]用于多级位闪存的擦除方法

摘要

本发明提供将具有三个或三个以上数据状态(100、200)的多级闪存单元(MLB)区段擦除为单一数据状态(1000)的方法(400)。本发明使用交互式区段擦除方法(400)，该方法通过两个或者两个以上擦除阶段重复擦除(410、440)、验证(416)、软编程(420、450)和编程(430)该区段以达到高紧密的数据状态分布(300、1000)。于一个实施例中，该方法(400)于第一阶段本质上使用交互式擦除、软编程和编程脉冲将该区段中所有MLB存储单元擦除至中间状态(410、600)和对应的阈值电压值。然后在第二阶段(440、450)，该方法使用另外的交互式擦除(440)和软编程脉冲(450)进一步将该区段中的所有MLB存储单元擦除至最终数据状态以达到对应的预期的存储单元的最终阈值电压值(1000)。该方法(400)可以选用包括一个或者多个类似操作的附加阶段，这些阶段可以成功地将区段存储单元擦除至紧密分布的相同状态(1000)而为其后的编程操作做好准备。本方法的一个态样在于这些阶段所选择的实际阈值电压值和/或数据状态可以由使用者预定并输入至存储装置。

主权项

1.一种擦除存储单元区段至单一数据状态(1000)的方法(400)，所述存储单元具有三个或三个以上数据状态(100、200)对应于三个或三个以上阈值电压值(100、200)，该方法(400)包括：对该存储单元区段执行区块擦除操作(410)，直至该区段的所有单元被擦除至大致对应于中间值的阈值电压为止；对该区段的过擦除存储单元执行软编程操作(420)，直至该过擦除存储单元的阈值电压大致对应于最终值为止；对确定位于或接近对应于该最终值的阈值电压的该区段存储单元编程(430)，直至所述存储单元的阈值电压大致对应于该中间值为止；对该区段再执行区块擦除操作(440)，直至该区段的所有单元被擦除至大致对应于该最终值的阈值电压为止；以及对该区段的过擦除存储单元再执行软编程操作(450)，直至达到对应于该最终值的阈值电压为止。