[发明专利]Ⅲ族氮化物晶体、其制造方法以及Ⅲ族氮化物晶体衬底及半导体器件有效
| 申请号： | 200580018887.6 | 申请日： | 2005-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN1965112A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木孝友;森勇介;吉村政志;川村史朗;中畑成二;弘田龙 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社;森勇介 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B9/10;C30B11/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制造III族氮化物晶体的方法包括以下步骤：制备籽晶晶体(10)，通过液相方法在该籽晶晶体(10)上生长第一III族氮化物晶体(21)；其中在籽晶晶体(10)上生长第一III族氮化物晶体(21)的步骤中，平行于籽晶晶体(10)的主表面(10h)的方向上的晶体生长速度VH高于垂直于籽晶晶体(10)的主表面(10h)的方向上的晶体生长速度VV。通过该制造方法，获得III族氮化物晶体，其中平行于籽晶晶体(10)的主表面(10h)的表面的位错密度低至最多为5×106/cm2。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 晶体 制造 方法 以及 衬底 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种III族氮化物晶体的制造方法，包括以下步骤：制备籽晶晶体(10)，以及通过液相方法在所述籽晶晶体(10)上生长第一III族氮化物晶体(21)；其中在所述籽晶晶体(10)上生长第一III族氮化物晶体(21)的所述步骤中，在平行于所述籽晶晶体(10)的主表面(10h)的方向上的晶体生长速度高于垂直于所述籽晶晶体(10)的主表面(10h)的方向上的晶体生长速度。
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