[发明专利]用于内存组件阵列互连的聚合物电介质无效
| 申请号： | 200580017617.3 | 申请日： | 2005-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN1998082A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | C·F·莱昂斯 | 申请（专利权）人： | 斯班逊有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导体装置(100)，其含有聚合物电介质(103)以及至少含有有机半导体材料(112)与无源层(114)的有源装置(104)。该半导体装置(100)亦可进一步含有导电性聚合物(106与/或108)。此装置以重量轻和高可靠度为其特征。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 内存 组件 阵列 互连 聚合物 电介质 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置(100)，包括：衬底(101)；在衬底(101)上方的聚合物电介质(103)；以及至少一个有源装置(104)，其包括有机半导体材料(112)与无源层(114)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
