[发明专利]形成半导体布线和最终器件的方法有效
| 申请号： | 200580017353.1 | 申请日： | 2005-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN1961413A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 彼得·L·D·昌 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L29/423 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了用于由硅或其他半导体材料形成布线的方法。还公开了包括这种半导体布线的各种装置。根据一个实施例，布线与下面的衬底分隔开，并且布线在第一端部和相对的第二端部之间延伸，第一和第二端部中的每一个都贴附于衬底。介绍并要求保护其他实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 布线 最终 器件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种方法，包括：氧化设置在衬底上的半导体本体内部区域下面的部分衬底，该内部区域在该半导体本体的相对的端部区域之间延伸；去除该下面衬底的氧化部分，以形成将该半导体本体的内部区域与该衬底分开的钻蚀部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
